據(jù)三星公司介紹，采用20納米工藝生產(chǎn)的MLC NAND芯片在產(chǎn)量上將比過去的30納米產(chǎn)品提高50%，且速度也能提升30%左右。更具體地講，這種閃存顆粒的讀取速度可以達(dá)到20MB/秒，寫入速度可達(dá)10MB/秒，相當(dāng)于SD/SDHC傳輸規(guī)范的Class 10等級。
未來，采用三星20納米工藝制造的MLC NAND芯片將會(huì)在更廣泛的領(lǐng)域嶄露頭角（目前展示的產(chǎn)品只有4-64GB的SDHC存儲(chǔ)卡），而更快的速度、更低的價(jià)格將成為其克敵制勝的法寶。
